急!重庆关于开展2017年电力直接交易有关补充事项的紧急通知

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图19在室温下,展2直接知针平面法测量的(A)PC/PSF32L和(B)PC/P(VDF-HFP)32L膜的介电击穿强度与PC组成的关系;(C)在室温下,展2直接知平面法测量的PSF/PVDF30/7032L和256L薄膜的介电击穿强度的威布尔分析图;(D)厚或薄PSF层的PSF/PVDF多层薄膜的杂质离子和自由电子的界面极化示意图。图2层倍增共挤出系统的示意图:电力的紧(a,b)单螺杆挤出机;(c)共挤出块;(d)层倍增元素(LMEs);(e)出口区;(f)滚动和冷却块;(g)挤出物。这种现象归因于隔离层越厚,补充击穿强度越高。

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